首先在设计发光结构时，深度售电需要考虑到电子传输层（ETL）与空穴传输层（HTL）的厚度比例。

目前多应用于背光源（BLU），文章国例如液晶显示器（LCD），但搭载Mini-LED的LCD屏幕一般会被当成是Mini-LED屏幕。原因在于用ICP进行图案化时，新电析高能粒子会在晶体表面几十纳米的深度轰击出缺陷，而NBE则能避免这问题出现。

结果白光、改背公司红光、绿光和蓝光的亮度分别提高31%、67%、28%和8%。他们透过中子束刻蚀（NBE）技术取代传统的电感耦合等离子体刻蚀（ICP），景下竞争使6微米-40微米Micro-LED晶体的EQE没有明显变化。图5量子棒的取向性、电网T形配体结构、电网及吸收/激发峰另外，光的均匀性对于Mini-LED显示器亦非常重要，文中提到多种光学设计，包括微透镜阵列，二氧化硅/二氧化钛多层结构，先进光扩散片等手段。

然而，服务最近几年有大量的初创企业成立，服务行业巨头们大力投入该领域，而在学术界也继续有不少前沿研究在进行，种种因素都表明该行业在未来将拥有巨大的发展潜力。透过使用T形形状的发旋旋旋光性磷酸在光照对准时能够使量子棒相互平行排列的特性，力分使得混合薄膜中的QRs浓度高达10wt.%-20wt.%，力分同时保持高亮度和发光偏振性质。

Micro-OLED具有出色的光学性能，深度售电但由于有机材料需要良好的保护，其结构相对复杂，包括电子/空穴传输层、透明电极、以及保护用的封装。

当中的原因是量子效率在像素缩小的时候会大幅衰减，文章国同时不成熟的工艺导致的成本问题。此外，新电析MicroLED的体积约为目前主流LED大小的1%，新电析且应用范围非常广阔，可应用小至手环和手表等可穿戴设备，大至商用广告牌和公共显示屏，甚至VR或者VR设备等的，并且表现比传统的液晶面板甚至OLED都更好一些。

相比OLED，改背公司MicroLED的亮度也要更高一些，而且寿命也会更长，性能更加稳定，亮度和色彩饱和度更高，响应速度也更快。经查询发现，景下竞争MicroLED相比于LCD可以实现更高的亮度、色彩饱和度、色彩还原力、响应速度等，而且是自发光，因此更省电。

据介绍，电网三星电子MicroLED中使用的LED元器件尺寸小于50μm，仅为一般100型高分辨率B2B产品中LED器件的10%。三星电子表示，服务他们计划从今年开始在全球推广MicroLED。